10
18
2018
做電源設計、驅動方面的電路，都會用到場效應管，也就是人們常說的MOS管。
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10
11
2018
場效應管對從事有關電子行業(yè)的人士都不陌生，其最顯著的是開關特性好，因此，被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源、照明調光。
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09
28
2018
現(xiàn)在家電、照明、汽車電子等領域行業(yè)開關管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管，使整體的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。
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09
20
2018
三端穩(wěn)壓管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件。穩(wěn)壓管在反向擊穿時，在一定的電流范圍內（或者說在一定功率損耗范圍內），端電壓幾乎不變，表現(xiàn)出穩(wěn)壓特性，因而廣泛應用于穩(wěn)壓電源與限幅電路之中。
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09
15
2018
改動柵壓可以改動溝道中的電子密度，從而改動溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。
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09
07
2018
MOS管最顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源、馬達驅動和照明調光。
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09
01
2018
目前市場上的場效應管主要分為兩種，但不論是哪種，場效應管都具有功耗低噪聲小，而且不會出現(xiàn)二次擊穿的特點，隨著場效應管應用面積的擴大，對場效應管的選擇成了設計者們關注的問題，今天和大家一起來了解下場效應管3205。
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08
23
2018
近年來，隨著汽車、通信、能源、消費、綠色工業(yè)等大量應用MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)在近幾年來得到了快速的發(fā)展，功率MOSFET更是備受關注。技術一直在進步，功率MOSFET市場逐漸受到了新技術的挑戰(zhàn)。
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08
16
2018
鋰電池作為一種新型的環(huán)保電池，開始逐步的應用到電動車中，并且將成為發(fā)展趨勢。通常，由于鋰電池的特性，在應用中需要對其充放電過程進行保護，以免過充過放或過熱，以保證電池安全的工作。
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08
09
2018
二極管（Diode）算是半導體家族中的分立元器件中最簡單的一類，其最明顯的性質就是它的單向導電特性，就是說電流只能從一邊過去，卻不能從另一邊過來。今天飛虹半導體為大家普及幾種常見二極管的特點知識。
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08
04
2018
我們都知道，三極管是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。
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07
27
2018
MOSFET管是FET的一種，可以被制造為增強型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管。
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07
20
2018
三極管判斷飽和時應該求出基級最大飽和電流IBS，然后再根據(jù)實際的電路求出當前的基級電流，如果當前的基級電流大于基級最大飽和電流，則可判斷電路此時處于飽和狀態(tài)。
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07
13
2018
在實際的工程中，二極管常用于交流電壓轉換成直流電壓電路中，也常常用來做穩(wěn)壓電路，限幅電路，續(xù)流電路。
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07
07
2018
在一些電路的設計中，不光是開關電源電路中，經(jīng)常會使用MOS管，正確選擇MOS管是硬件工程師經(jīng)常遇到的問題，更是很重要的一個環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好有可能影響到整個電路的效率和成本。那么新手該如何選擇高性能的MOS管呢？
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06
28
2018
三極管，是一種能夠利用電流來對電流進行控制的器件，其最大的特點就是能夠將微弱的信號進行放大，轉變成為輻值較大的電信號。
在選擇使用三極管的時候，你又對他們的分類了解多少呢？
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06
23
2018
三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件，其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關，是電子電路的核心元件
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06
15
2018
開關電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點,應用已越來越普及。MOSFET由于開關速度快、易并聯(lián)、所需驅動功率低等優(yōu)點已成為開關電源最常用的功率開關器件之一。而驅動電路的好壞直接影響開關電源工作的可靠性及性能指標。
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06
09
2018
電子元件及產(chǎn)品在什么情況下會遭受靜電破壞？可以這么說：電子產(chǎn)品從生產(chǎn)到使用的全過程都遭受靜電破壞的威脅。從器件制造到插件裝焊、整機裝聯(lián)、包裝運輸直至產(chǎn)品應用，都在靜電的威脅之下。
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06
01
2018
對于MOS管出現(xiàn)雪崩失效情況你了解多少呢？它其實就是MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導致的一種失效模式。
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